IR降指在阴极保护电位回路中，与欧姆定律一致的电阻上的电压降，定义为V=I·R 。该现象广泛存在于阴极保护系统、压力容器腐蚀监测及芯片电源网络中，由保护电流、杂散电流或电源网络电流流经土壤电阻、涂层缺陷电阻、金属层电阻等介质引发，导致管地电位测量失真或芯片电压异常 。
在埋地管道阴极保护领域，IR降表现为通电电位与断电电位之差，需通过瞬间断电法、试片断电法或双参比电极法消除 。压力容器腐蚀监测中，高电阻率溶液引发IR降误差需采用极化阻力校正或三角形三电极探头修正 。芯片设计中IR降分为静态与动态类型，静态IR降主要由电源网络的金属连线电阻引起，动态IR降则由电路开关切换时的电流波动引起，可通过优化电源网络布局、增加去耦电容或使用专用分析工具进行抑制与修复 。随着半导体工艺进入深亚微米阶段，电源/地网络的欧姆电压降问题日益突出 。测量方法包括CIPS技术卫星同步断流、DCVG技术缺陷电流分析及极化探头法，对应保护电位需控制在-850mV至-1200mV范围 。可通过建立计算模型，基于土壤、防腐层、管道等多种影响因素对管道IR降进行精准计算 。
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